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IXTH / IXTM 67N10 IXTH / IXTM 75N10
IXTT 75N10
10
Fig.7 Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
9
8
7
V DS = 50V
I D = 37.5A
I G = 1mA
100
Limited by R DS(on)
10μs
100μs
6
5
1ms
4
3
2
1
10
10ms
100ms
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
1
1
10
100
6000
5000
Gate Charge - nCoulombs
Fig.9 Capacitance Curves
150
125
V DS - Volts
Fig.10 Source Current vs. Source
to Drain Voltage
4000
3000
f = 1MHz
V DS = 25V
C iss
100
75
2000
1000
C oss
50
25
T J = 125°C
T J = 25°C
0
0
5
10
15
C rss
20
25
0
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
V DS - Volts
Fig.11 Transient Thermal Impedance
D=0.5
V SD - Volt
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01 D=0.02
D=0.0 1
Single pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Time - Seconds
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
6,404,065B1
6,259,123B1
6,162,665
6,306,728B1
6,534,343
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